Das Projekt „All-GO-HEMT“ nutzt die Vorteile von Galliumoxid (Ga2O3), ein Material mit ultrabreiter Bandlücke, das als vielversprechender Kandidat für die Leistungselektronik gilt. Ga2O3ermöglicht eine kompaktere Bauweise, die nicht nur die Effizienz der Umwandlungsprozesse steigert, sondern auch die Zuverlässigkeit der Systeme verbessert. Im Vergleich zu etablierten Materialien wie Silizium, Galliumnitrid und Siliziumkarbid2O3bietet Potenziale zur Effizienzsteigerung, die noch nicht voll ausgeschöpft sind.
Ein weiteres Ziel von „All-GO-HEMT“ ist die Schaffung einer verlässlichen Materialbasis für Ga2O3und die neu entwickelte Legierung mit Aluminium höchster kristalliner Qualität für Forschung und Industrie. Diese Grundlage ist notwendig, da die Entwicklung von Hochleistungsbauelementen mit kompaktem Design und optimierten Herstellungsprozessen derzeit durch die unzureichende Verfügbarkeit von hochwertigem Material begrenzt ist. Der Projektpartner Ferdinand-Braun Institut (FBH) wird diese Materialgrundlage nutzen, um neue Prototypen für leistungselektronische Bauelemente zu entwickeln. Diese Prototypen werden dann vom industriellen Mentor ZF Friedrichshafen AG auf ihre Eignung für die industrielle Anwendung getestet. Darüber hinaus wird die gesamte Wertschöpfungskette vom Kristallwachstum bis zum fertigen Bauelement von den industriellen Mentoren AIXTRON SE und Siltronic AG analysiert, um den ökonomischen und ökologischen Nutzen dieser Technologie frühzeitig zu quantifizieren und zu bewerten.
